英伟达评估三星3nm GAA工艺，若顺利则预定2025年量产

英伟达评估三星3nm GAA工艺，若顺利则预定2025年量产

三星在2022年6月末宣布，其位于韩国的华城工厂开始生产3nm芯片，采用全新GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术。不过在量产初期，三星3nm GAA工艺的良品率并不是那么理想，不过随着三星与合作伙伴的努力，传闻良品率已达到60%到70%之间，三星也尝试在芯片设计者中重新建立信心。

近日有网友（@手机晶片达人）透露，英伟达已经在评估三星的3nm GAA工艺，如果一切顺利，预定在2025年量产。目前看来，三星3nm GAA工艺最近几个月的良品率提升，吸引力确实变大了，增加了三星再次获得订单的可能性。由于台积电不断提高晶圆代工的价格，使得许多芯片设计公司重新考虑生产外包的多样化问题，也给了三星更多的机会。

此前就有报道称，有多个客户对三星3nm GAA工艺产生兴趣，用在未来的产品中，包括了英伟达（GPU）、高通（SoC）、IBM（CPU）和百度（云端服务器的AI芯片），这些企业过去都和三星有合作，相互之间都比较熟悉。传闻名单上应该有六间芯片设计公司，不过即便有意向也不会马上生产。

有业内人士表示，一些公司正在试图减少对台积电的依赖，以寻求自身半导体供应链的多样化。三星也希望能够尽快得到3nm芯片订单，毕竟研发先进的半导体技术所需要的成本非常高，如果没有稳定的收入，很难回收开发成本。