台积电和三星3nm良率仅约50% 距离目标仍有一定差距

【太平洋科技资讯】10月9日消息，据外媒报道，业界专家在分析中指出，全球知名半导体制造商三星电子和台湾积体电路制造公司(台积电)的3纳米(nm)工艺芯片的良品率目前均在50%左右。目前，三星电子和台积电都在努力提高良品率，目标是实现60%以上的良品率。

此前有报道称，三星电子的3nm工艺芯片良品率已经超过60%，并已经向中国的客户交付了一款芯片。然而，尽管三星电子已经率先量产采用全栅极技术(GAA)的3nm芯片，由于制造难度的增加，其产量还不足以满足大客户的需求。

其次，由于这款芯片在制造过程中省略了逻辑芯片中的静态随机存取存储器(SRAM)，因此业界普遍认为，这款芯片很难被视为“完整的3nm芯片”。

一位熟悉三星电子的人士透露，“要想在明年赢得高通等大客户的3nm移动芯片订单，良品率至少需要提高到70%。”

另一方面，尽管台积电是目前唯一一家拥有3nm量产记录的公司，但其产量也同样低于最初预期。有分析师表示，台积电在3nm工艺中采用了与上一代工艺相同的FinFET结构，可能导致“未能控制”过热问题。

此前，知名分析师郭明錤对苹果iPhone 15 Pro手机过热问题进行了解读，并表示这个问题“与台积电的3nm制程无关”。他认为，iPhone 15 Pro系列的过热问题，主要可能是由于为了让手机重量更轻，苹果在散热系统设计上作出了妥协，例如散热面积较小、采用钛合金影响散热效果等。

目前，三星电子和台积电都在努力提高良品率，目标是实现60%以上的良品率。台积电计划在明年量产N3E、N3P、N3X、N3AE等多款3nm芯片，重点是提高良品率并降低成本。